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加热振荡型-BG200

加热振荡型-BG200

加热振荡型——BG200技术方案:半导体技术控温范围:室温+5°C-100°C升温时间:<15min控温精度:±0.3°C

加热振荡型——BG200

技术方案:半导体技术
控温范围:室温+5°C - 100°C
升温时间:<15min
控温精度:±0.3°C